エルピーダ、モバイル機器向けWide IO準拠の4GビットDRAMを開発

　

　エルピーダメモリは、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器向けの次世代規格「Wide IO」に準拠した4GビットDRAMの開発を完了したことを発表した。

　このWide IO対応Mobile RAMは、同社30nmプロセスを採用し、2011年12月からのサンプル出荷の開始、および2012年中の量産開始を予定しているほか、4枚積層の16Gビット品も同3月からのサンプル出荷を予定している。

　Wide IOに準拠したMobile DRAMは、現行のモバイル機器向けDRAMの主流であるLPDDR2比で4倍となるデータ転送速度12GB/sを実現している。また、消費電力はLPDDR2と同等速度で比べると約50%の低減が可能となっているという。

　Wide IO Mobile RAMはI/O端子だけで512、その他のインタフェースを加えると約1200の端子があることから、大容量化にはTSVが用いられる。これによりパッケージ高さは従来のPoPに比べて薄くできるようになるため、16Gビット品に同技術を適用した場合、SoCとも接続した形で1.0mm(SoC+4枚積層)と、SoC+4枚PoPの1.4mmよりも3割程度薄型化することができるようになるという。

　また、このほか、同社では8Gビット品の提供も予定しているという。

　Wide IO Mobile RAMパッケージとPoPパッケージの高さ比較