東芝、19nm 第2世代プロセスを用いた2ビット/セルの64GビットNANDを開発

　

　東芝は5月21日、19nm 第2世代プロセスを用いた2ビット/セルの64Gビット(8GB)のNAND型フラッシュメモリの開発を終えたことを発表した。

　同製品は、19nm 第2世代プロセスを採用するとともに、周辺回路を工夫することで、チップサイズ94mm2の2ビット/セルの64GビットNAND型フラッシュメモリを実現。また、独自の高速空き込み回路方式の採用により、25MB/秒の書き込み速度を実現したという。

　なお、同製品は2013年5月中の量産開始を予定している。また、同社では3ビット/セル製品も開発を進めており、こちらは2013年度第2四半期中の量産開始を予定とするほか、新たにeMMC対応のコントローラを開発することで、スマートフォンやタブレットなどでも3ビット/セル製品の展開を行っていく予定としている。

　19nm 第2世代プロセスを採用した2ビット/セルで64GビットのNAND型フラッシュメモリ