AMAT、20nmノード以降の半導体製造に対応する流動性CVD装置を発表

　

　半導体製造装置大手のApplied Materials(AMAT)は、20nmノード以降のメモリやロジックチップに用いられる高密度トランジスタを、高品質絶縁膜により電気的に素子分離することが可能な流動性CVD(Flowable CVD)装置「Applied Producer Eterna FCVD」を発表した。

　Eterna FCVD

　20nmノード以降の高密度トランジスタ間のギャップは、アスペクト比が現行条件の5倍となる30:1以上と言われているほか、形状も複雑となる。同装置は、同社独自のプロセスを用いることで、液体に似た流動性を持つ絶縁膜を形成、ほぼあらゆるギャップ構造を底部からすき間なくカーボンフリー絶縁膜を形成することを可能としている。また、スピンオフ法による成膜に比べてコストを最大1/2に削減できるほか、使用する機器やプロセス工程数の削減が可能になるという。

　なお、同装置はは、同社の標準プラットフォーム「Producer」にインテグレートされ、すでにDRAM、フラッシュメモリ、ロジックなど6つのカスタマに納入されているという。