ImecとAlchimer、次世代の微細プロセス向けCu充填ソリューション研究を開始

　

　仏Alchimerは、微細プロセスにおける高度ナノ相互接続技術のためのCu充填ソリューションの開発・評価に向け、ベルギーImecと合同開発プロジェクト(JDP)を開始したと発表した。

　先端半導体プロセスで用いられるCu配線では欠陥やボイドの発生により、信頼性が低下するという課題がある。今回のプロジェクトは、22nm以下の超微細プロセス向けに、分子ビルドアップ法に基づく性沈着技術を用いることで、ダマシンプロセスに必要なシードレイヤなしにバリア上の直接Cuフィルを可能する同社の製造装置/技術「Alchimer(eG)」の信頼性データおよび電気的性能の取得を目的として行われ、その一環として同社では、300mmウェハレベルのダマシンめっき用途に最適なプロセス条件の特定を目指すとする。

　すでに同社では、eGフィルにより、シードレイヤレスのバリア上での直接Cu充填が可能であること、ならびにそれにより歩留まりが改善すること、および7nmノード上でボイドレス充填が可能なことを確認しているという。

　なお、同社では、今回の共同研究により300mmウェハでの技術適合性の検証がなされることで、次世代ウェハサイズである450mmを実用化するためにはどのような技術が必要かの理解を深めるための情報も得ることができるようになるとしている。

　デュアルダマシン配線のイメージ(出所:Alchimer Webサイト)