Infineon、HEV/HV向け次世代高電圧IGBTゲートドライバを発表

　

　Infineon Technologiesは、次世代の高電圧IGBTゲートドライバ「EiceDRIVER SIL」と「EiceDRIVER Boost」を発表した。

　2シリーズともにハイブリッド車(HEV)および電気自動車(EV)の400V、600V、および1200V IGBTを使う、最大120kWまでのインバータ用として設計されており、これにより車載システムのサプライヤによるASIL C/D安全基準(ISO 26262)を満たしたHEV駆動系サブシステムの設計を、より容易かつ低コストで実現することを可能にすると同社では説明している。

　また、AECQ100準拠であり、自動車用インバータのIGBTの駆動と制御に最適な特徴を持ち、ガルバニック絶縁、双方向信号伝達、短絡検知のサポート、および最適化されたIGBTスイッチング機能を備えているとのことで、従来ソリューションと比較した場合、HEVシステム内の基板面積を最大20%節約することができるほか、組み込まれた機能によって従来のソリューションに必要とされていたディスクリート製品のうち最大60%を不要にすることが可能になるという。

　なお、2シリーズともに早期エンジニアリングサンプルがすでに提供開始となっており、より大規模なサンプル出荷は2013年12月より行う計画とするほか、量産開始は2014年末を予定しているという。です。