エルピーダ、40nmプロセスを採用した4GビットDDR3 SDRAMの開発を完了

　

　エルピーダメモリは4月22日、4GビットのDDR3 SDRAMの開発を完了したことを発表した。2010年第2四半期中のサンプル出荷開始と同第3四半期からの量産開始を予定している。

　開発を完了した40nmプロセス採用の4GビットDDR3 SDRAM

　同社の40nmプロセスを採用した同メモリは、従来の40nmプロセス採用2GビットDDR3 SDRAMを2個使用した場合(4Gビット相当)に比べ、消費電力を約30%削減することが可能。DDR3標準の1.5Vのほか、1.35Vもサポートしており、システムのさらなる低消費電力化も可能となる。

　ピン当たりのデータ転送レートは1,600Mbpsで、データ幅は×4/8/16ビット、パッケージは×4/8で78ボールFBGA、×16ビットで96ボールPBGAが採用されている。

　なお、同社では同メモリを用いたサーバ向け32GB RDIMM(4GビットDDR3 SDRAM DDP(Double Density Package)を36個搭載)、新規格のLR DIMM(Load Reduced DIMM)をはじめ、ワークステーション向けの8GB ECC UDIMM(4GビットDDR3 SDRAMを18個搭載)、ノートPC向けの8GB SO-DIMM(4GビットDDR3 SDRAMを16個搭載)、また、デジタル家電向けに4GビットDDR3 SDRAM単品での出荷も行っていくことを計画している。