東芝、32nmプロセスを用いた128GBの組込式NAND型フラッシュメモリを発表

　

　東芝は、スマートフォンやデジタルビデオカメラなどの携帯機器向けに、最大128GBの組込式NAND型フラッシュメモリ(embedded MultiMediaCard:e・MMC)製品を発表した。

　128GBの組込式NAND型フラッシュメモリ

　発表されたのは、128GB品の「THGBM2T0DBFBAIF」と64GB品の「THGBM2G9D8FBAIF」の2製品。128GB品は、17mm×22mm×1.4mmの小型パッケージに、32nmプロセスと厚さ30μmのチップ薄厚化技術を適用した64GビットNANDチップ16枚とコントローラチップを納めた制御機能付メモリとなっている。

　2製品ともにJEDEC e・MMC Version 4.4に準拠したインタフェースを有しているため、NAND型フラッシュメモリの制御機能(書き込みブロック管理、エラー訂正、ドライバソフトウェアなど)をユーザーが開発する必要がなく、開発負荷が軽減され、ユーザー側の開発期間の短縮にもつながる。

　書き込み速度はシーケンシャル/SDRモード、シーケンシャル/DDRモードともに21MBps、読み出し速度はシーケンシャル/SDRモードで46MBps、シーケンシャル/DDRモードで55MBpsとなっている。

　なお、64GB品は2010年8月より、128GB品は同9月よりサンプル出荷を行い、いずれも同第4四半期からの量産開始を予定している。