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Infineon、600V/1200V対応の第3世代高速IGBTファミリを発表
Infineon Technologiesは、高速ハードスイッチング・アプリケーション向けに最適化された、600V/1200VのIGBT製品「High Speed 3(第3世代)」ファミリを発表した。
同ファミリは、最大100kHzのスイッチングトポロジに対応できるよう設計されており、総ターンオフ損失は前世代比で35%削減を実現している。また、テール電流を抑えることでターンオフ損失を同75%低減し、MOSFETのようなターンオフのスイッチング動作を実現している。
さらに、Vce(sat)(飽和電圧)も損失全体に大きな役割を果たすことから、同ファミリでは、スイッチング損失の削減のみならず、独自のTrenchstopテクノロジーによって低導通損失も実現している。
High Speed 3ファミリと競合製品との性能比較
なお、同ファミリは20~50A(600V)、15~40A(1200V)で提供され、サンプル価格は600V/20A品の1.90ユーロから、1200V/40Aの5.10ユーロまでがラインナップされている。
High Speed 3ファミリのポートフォリオ
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HN:
上原健二
性別:
非公開
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