STMicro、パワーMOSFET技術の電力密度を向上させるパッケージ技術を発表

　

　STMicroelectronicsは、パワーMOSFET技術「MDmesh V」の電力密度を向上させるパワー・パッケージを発表した。

　厚み1mmの同パッケージは、8mm×8mmのリードレス・パッケージにTO-220サイズのダイを封止し、内部で発生する熱を効率的に除去するための露出金属ドレイン・パッドを備えている。

　同パッケージは、同社のほかInfineon　TechnologiesのMOSFETに採用され、STMicroからは「PowerFLAT 8×8 HV」、Infineonからは「ThinPAK 8×8」という製品名で発表される予定で、顧客は、代替サプライヤを確保することが可能となる。

　「PowerFLAT 8×8 HV」のパッケージ外観

　同パッケージによる最初の製品「STL21N65M5」は650耐圧品で、オン抵抗0.190Ω、最大定格電流(ID)17A、接合部・ケース間熱抵抗(Rthj-c)1.0℃/Wを実現している。なお、すでにサンプル出荷を開始しており、2010年7月からの量産出荷を計画している。単価は10個購入時で約8.00ドルとなっている。