東芝、43nmプロセス採用組み込み式NAND型フラッシュメモリを製品化

　

　東芝は、携帯電話やビデオカメラなどの携帯機器向けに、最大32GBを実現した組み込み式NAND型フラッシュメモリ7品種14製品を製品化したことを発表した。9月より順次サンプル出荷を行い、2008年第4四半期(10-12月)の量産を予定している。

　開発された32GB組み込み式NAND型フラッシュメモリ

　32GB品は、43nmプロセスを採用した32GビットNANDチップ8枚とコントローラチップを1チップに収めた制御機能付メモリで、メモリカード規格のJEDEC/MMCA Ver 4.3やSDA Ver 2.0などに準拠している。

　書き込み速度は、JEDEC/MMCA Ver. 4.3規定準拠HS-MMCインタフェースを備えた「e-MMC」でシーケンシャルモードで最小10MB/s、シーケンシャル/インターリーブモードで最小18MB/sであり、読み出し速度はシーケンシャルモードで最小20MB/sとなっている。

　なお、量産規模はe-MMCが月産合計100万個、SDA Ver. 2.0規定準拠のSDインタフェースを備えた「eSD」が月産合計50万個を予定している。