Samsung、50nmプロセス世代を適用した2GビットDDR3 DRAMを10月から量産

　

　Samsung Electronicsは50nmプロセス世代を適用した、2GビットのDDR3 DRAMの開発に成功し、10月から量産に入ると発表した。

　50nmプロセス世代の技術を適用した、2Gビット DDR3 DRAM

　50nmプロセス世代の2Gビット DDR3 DRAMのデータ処理速度は、1,333Gbpsだ。これは同社が2007年に開発した60nmプロセス背第の2Gビット DDR2 DRAMの800Mbpsよりも1.6倍ほど速いものとなっている。また、データ処理速度のみならずサイズおよび容量面でもメリットが多い。

　同社によると、既存の2Gビット DDR2 DRAM単品の場合、チップサイズが大きいため、高容量モジュールを作るために「2段パッケージ積層技術(DDP:Double Die Package)」を適用して、2つの2Gビットチップを1つに合わせて搭載していた。しかし2Gビット DDR3 DRAMの場合は、こうした必要なく高容量モジュールを制作できるので、原価削減につながる。

　またたとえば、1GB DDR3 DRAMを搭載した、大容量のサーバ用16GB DDR3モジュールを制作する場合でも、これまでのように「4段パッケージ積層技術(QDP:Quad Die Package)」を適用する必要がなく、DDP技術を適用すれば良いこととなる。

　容量が大きいことで、生産コストも抑えられる。Samsungによると「2Gビット DDR3 DRAMは、既存のDDR2製品を生産していた時よりも、単品としてのチップ生産効率を60%以上向上させることができる」ということだ。工程を単純化できるので生産性が上がるほか、生産期間も短縮される。またセット製品に搭載される場合、DRAMによる電力使用量や、システム作動時の発熱量も抑えることが可能だ。

　Samsungでは今回開発した2Gビット DDR3 DRAMソリューションで、高容量のDDR3モジュールを量産していく方針だ。サーバ用の8GB RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module) 、ワークステーション/デスクトップPC用の4GB UDIMM(Unbuffered DIMM)、ノートPC用の4GB SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)など、多様な方面に対応させていく展望を持っている。

　これにより、現時点ではDDR2が主流となっているDRAM製品市場が、DDR3製品に変わっていくことが予想される。Samsungでは、こうした市場をリードしていきたいと考えているため、今後積極的な量産体制をとっていくことで、急速な市場変化が見込まれる。