AMAT、TSV形成用エッチング装置を発表

　

　半導体製造装置大手の米Applied Materials(AMAT)は12月3日、幕張メッセで同日から5日まで開催されている半導体製造装置の展示会「Semicon Japan 2008」において、貫通電極(TSV:Through Silicon Via)形成用エッチング装置「Applied Centura Silvia」を発表した。

　Semicon Japan 2008のAMATブース

　「Applied Centura Silvia」の実機が展示されている

　TSVは、Siの基板に貫通した電極を設けることで、チップ間の接続距離を最短化することで、高機能、高速動作を実現しようというもの。また、チップを積層しても、チップ周辺にチップ同士の接続配線を配置する必要がないため、小型化も可能であり、すでにカメラ用のイメージセンサで用いられている。

　良いこと尽くめだが、製造するためにはコストが高く、Semiconductor 3D Equipment and Materials Consortium(EMC-3D)が発表したコストモデルでは、月産1万枚を処理した時のCoOは、1枚あたり189ドルとしている。AMATでは、これを最終的に150ドル/枚まで下げることを目指すとしている。

　同装置には、Time Multiplexed Gas Modulation(TMGM)プロセスと称するガスモジュレーションプロセスを搭載。これにより、エッチングとデポの速度を高速化かつ、エッチングレートの向上を実現しているという。