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Veeco、パワーデバイス向けGaN系MOCVD装置「Propel」を発表

Veeco、パワーデバイス向けGaN系MOCVD装置「Propel」を発表 

 Veeco Instrumentsは、パワーデバイス向けGaN系MOCVD装置「Propel」を発表した。

 同装置は、6インチおよび8インチウェハを処理できる200mmリアクタープラットフォームを採用し、パワーエレクトロニクスデバイスを製造するための高品質なGaN系膜を形成できる。また、シングルウェハリアクターは、ウェハ全体で均質な層流と均一な温度特性を実現するIsoFlange技術およびSymmHeat技術などを備えた独自のTurboDisc技術に基づいて設計されている。

 なお、同社の「K465i」や「MaxBright」システムを使用しているユーザーは「Propel」に簡単に移行することができる。

 パワーデバイス向けGaN系MOCVD装置「Propel」

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産総研と東大、リチウムイオン電池が充放電する際の正極の電子状態を観測 HOME 理研、PCBやPBBなどの毒物を簡便に完全分解できるマイクロチップを開発
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上原健二
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