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東芝、48層積層プロセスを用いて16GBを実現した3D NANDメモリを製品化
東芝は3月26日、48層積層プロセスを用いた128Gビット(16GB)の2ビット/セル(MLC)3次元フラッシュメモリ(BiCS)を開発、即日サンプル出荷を開始したと発表した。
同製品は、48層積層プロセスを採用することで容量を増大させたもので、現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上が図られているという。
なお、同社では、2016年前半に竣工予定の四日市工場新・第2製造棟でも生産を行う予定だとしている。
48層積層プロセスを用いた3D NANDフラッシュメモリ
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ＨＮ：
上原健二
性別：
非公開
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