米Intelと米Micron、25nmの64GビットNANDフラッシュ発表

　

　25nm 8GB NANDフラッシュデバイス

　米Intelと米Micron Technologyは2月1日(現地時間)、25ナノメートル(nm)プロセスによる64GbのマルチレベルセルNAND型フラッシュメモリを発表した。両社の合弁企業であるIM Flash Technologies (IMFT)において、同プロセス技術を用いた8GBのNANDフラッシュデバイスのサンプリングが行われている。2010年第2四半期に量産へと移る見通しだという。

　25nm製造プロセスによる8GBチップのダイサイズは167平方ミリ。CD中心の穴ぐらいの大きさで、CD11枚分以上の容量を備える。TSOP (Thin Small Out-Line Package)において25nmの8GBデバイスは、前世代の50%のチップ数で同じ容量のストレージを実現する。たとえば256GBのSSD(Solid-State Drive)に、これまで64個必要だったチップ数が32個に減少する。32GBフラッシュカードは4個、16GBだと2つで済む。高密度化により、スマートフォンやメディアプレイヤー、SSDなど向けに、よりコスト効率に優れた大容量ストレージが可能になる。