TI、ハイ/ローサイドのMOSFETを集積した同期整流降圧レギュレータを発表

　

　ハイサイド(高電圧側)およびローサイド(低電圧側)の両方の制御用パワーMOSFETを集積した50mA/60Vの同期整流降圧レギュレータ「TPS54062」

　Texas Instruments(TI)は、50mA/60Vの同期整流降圧レギュレータ「SWIFT」として、ハイサイド(高電圧側)およびローサイド(低電圧側)の両方の制御用パワーMOSFETを集積した「TPS54062」を発表した。同製品はすでに量産出荷を開始しており、パッケージは3mm×5mmの8ピンMSOP PowerPadで、1000個受注時の単価(参考価格)は、1.50ドルとなっている。

　同製品は、-45～+150℃までの動作温度範囲において65Vまでの高電圧過渡波形への耐久性を備えているほか、全負荷範囲に渡って高効率を提供することが可能。また、固定周波数のクロックに同期可能で、動作時電流は89μA、シャットダウン電流1.7μAを実現している。

　なお同社は、より高電圧の過渡波形に対応する製品として、500ns未満のセトリングタイムを提供する50mA、100VのLDOデバイス「TPS7A4001」も提供している。