東芝、画素サイズ1.12μmのBSI型CMOSイメージセンサを開発

　

　東芝が開発した画素サイズ1.12μmのBSI型CMOSイメージセンサ

　東芝は、携帯電話やスマートフォン向けに画素サイズ1.12μmのBSI(裏面照射)型CMOSイメージセンサを開発したことを発表した。2011年7月下旬よりサンプル出荷を開始し、2011年末から量産を行う計画としている。

　BSI構造は、受光部が配線層で減衰しないよう裏面から光を入れる構造とすることで、CMOSセンサの画素の小型化に伴い感度が低下する課題を解決する物。

　同製品の仕様は、光学フォーマット1/4インチ、画素数8.08Mピクセル、画素サイズ1.12μm、フレームレート30fps(8Mピクセル)、60fps(1080p/720pに対応)となっている。

　なお、同社は携帯電話やスマートフォンなどが小型化する流れに応じた1.12μmのBSI型CMOSイメージセンサを開発しラインアップに追加することで、BSI市場に本格参入するとしている。