東芝、2値技術を用いた16GビットNAND型フラッシュメモリを開発

　

　東芝は10月28日、43nmプロセスで2値(SLC)技術を採用したNAND型フラッシュメモリ16種類を製品化することを発表した。2009年第1四半期から順次量産出荷を開始する予定。

　16Gビットチップを搭載したNADN型フラッシュメモリ

　16製品は、512Mビットから64Gビット品までラインナップ。その内、16Gビット、32Gビット、64Gビットの3製品は16Gビットのチップを搭載する。

　SLCのNADN型フラッシュメモリは、書き込み回数が多く、リード/ライトスピードが速く、信頼性が高いという特長がある。今回、43nmプロセスを採用したSLC製品16品種を展開することで、組み込み機器などへの展開を図る。

　なお、同社では、多値(MLC)技術を用いた製品同様、幅広いラインナップをSLCで用意したことで、高信頼性が求められる市場の要求にも応えられるようになったとし、NAND型フラッシュメモリ事業全体の拡大を進めていくとしている。